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フラッシュランプアニーリング装置 / FLA
特長
非常に短いパルス(マイクロ/ミリ秒レベル)のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の膜のアニ-リング処理等に使用できる研究開発用の小型装置です。
・ CIS、CIGS等のソーラーセル(フレキシブル、ガラス基板等)のヘテロエピレーヤ-の膜質向上
・ ITO等の透明導電性酸化膜の改質(フレキシブル、ガラス基板等)
・ a-Si、Poly Siの結晶性の向上
・ インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニ-リング処理
・ Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成
・ ローカルメルティング-再結晶化/FLASiC(SiC on Si)
・ ドーパントの活性化(SiC/GaAs) ウルトラシャロージャンクション(Si)
適用
・ ランプアニーリング
・ アニール
・ アニーリング装置
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