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イオンエネルギー測定器

イオンエネルギー測定器
製造:Impedans [アイルランド]
Impedans

真空下でのエッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。

プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。
- イオンエネルギー分布
- イオンフラックス
- ネガティブイオン
- 温度
- バイアス電圧

メーカーサイト カタログ(PDF)

特長

・検出プローブは電極/基板ホルダーに取付けできます。
・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。
・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。
・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。
・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数)
- フローティング
- DC
- パルスDC
- RF

適用

・プラズマプロセスの開発
・プラズマプロセスの診断
・エッチング、CVDの開発ツール
・マグネトロンスパッタリングやHiPIMSの薄膜成膜プロセスの開発

マルチセンサー

various sensor

データサンプル

Data 2
お問合せ先 情報精密機器部門
  TEL:03-5472-1721 FAX:03-5472-1720
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