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製品

成膜／検査・測定／表面処理

イオンエネルギー測定器

製造：Impedans / アイルランド

真空下でのエッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。

プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。
- イオンエネルギー分布
- イオンフラックス
- ネガティブイオン
- 温度
- バイアス電圧

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製品の特長

  • ・検出プローブは電極/基板ホルダーに取付けできます。
    ・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。
    ・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。
    ・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。
    ・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数)
    - フローティング
    - DC
    - パルスDC
    - RF

 

 

 

マルチセンサー

 

 

データサンプル

 

製品の適用例

・プラズマプロセスの開発
・プラズマプロセスの診断
・エッチング、CVDの開発ツール
・マグネトロンスパッタリングやHiPIMSの薄膜成膜プロセスの開発
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